故障分析及处理：这是一种最常见的故障现象，造成的原因可能是：
1.逆变触发脉冲有缺脉冲现象――用示波器检查逆变脉冲（最好在可控硅的AK上检查），如发现有缺脉冲现象，检查连线是否有接触不良或开路，前级是否有脉冲输出。
2.逆变可控硅击穿――更换可控硅，并检查可控硅损坏原因（有关可控硅损坏原因参见后面的可控硅损坏原因分析）
3.电容器击穿――拆除损坏的电容器极柱
4.负载有短路、接地现象――排除短路点和接地点
5.中频信号取样回路有开路或短路现象――用示波器观察各信号取样点的波形，或在不通电的情况下用万用表测量各信号取样回路的电阻值，查找开路点或短路点
故障分析及处理：造成这种故障的原因有：
1.逆变回路有一只可控硅损坏――当逆变回路有一只可控硅损坏时，设备有时也可启动，但启动后会出现上述故障现象，更换损坏的可控硅，并检查损坏原因
2.中频信号取样回路有开路或极性错误现象――这种原因多在采用交角法的线路中，中频电压信号开路或在维修其它故障时将中频电压信号的极性接反，均会造成此故障现象
3.逆变引前角移向电路出现故障――中频电源的负载是呈容性的，即：电流超前于电压。在取样控制电路中，都设计有移相电路，如果移相电路出现故障也会造成此故障现象
故障分析及处理：这种故障是三相全控整流桥故障，其主要原因是：
1.整流可控硅开路、击穿、软击穿或电参数性能下降――用示波器观察各整流可控硅的管压降波形，查找损坏的可控硅后更换。当损坏的可控硅击穿时，其管压降波形为一条直线；软击穿时电压升到一定时为一条直线，电参数下降时电压升到一定值时波形发生变化。如果出现上述现象，直流电流就会出现断流现象，造成电抗器震动
2.缺少一组整流触发脉冲――用示波器分别检查各路触发脉冲（最好在可控硅上检查），检查出没有脉冲的回路时，用倒推法确定故障位置，更换其损坏器件。当出现这种现象时，直流电压的输出波头就会缺少一个波头，造成电流断流，产生此故障现象
故障分析及处理：这种故障是属于扫频式启动方式的设备故障，其原因是：
1.逆变引前角过小，启动后由于换相失败而引起的重复启动――用示波器通过观察中频电压波形，将逆变引前角适当调大
2.负载振荡频率信号在它激扫描频率信号范围的边缘位置――重新调整它激扫描频率的扫描范围
故障分析及处理：这种故障现象一般是由于以下两种原因造成：
1.逆变可控硅水冷套内断水或散热效果下降――更换水冷套。有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但经常由于水质问题，在水冷套的壁上附着了一层水垢，由于水垢是一种导热性级差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离是其散热效果大大降低。其判断方法是：将功率运行在较低于该过流值的功率下约十分钟，迅速停机，停机后迅速用手触摸可控硅元件的芯部，若感觉到烫手，则该故障是由此原因引起的
2.槽路连接导线有接触不良和断线情况――检查槽路连接导线，根据实际情况酌情处理。当槽路连接导线有接触不良或断线情况时，功率升到一定值后会产生打火现象，影响了设备的正常工作，从而导致设备保护动作。有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压，如果过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。该现象经常会出现过电压、过电流同时动作
故障分析及处理：这种故障现象较为明显，是由以下原因引起的：
1.快速熔断器烧断――一般快速熔断器都有熔断指示，可通过观察其指示来判断熔断器是否烧断，但有时因快速熔断器使用时间过久或质量原因，不指示或指示不明确，须断电后用万用表测量。处理方法是：更换快速熔断器，分析烧断原因。一般烧断快速熔断器的原因有两种：
•设备在长时间大功率、大电流的条件下运行造成快速熔断器发热，使熔芯热熔；
•整流控制电路故障造成瞬时大电流冲击。应对整流电路进行检查；
•整流负载或中频负载短路，造成瞬时大电流冲击，烧坏快速熔断器，检查其负载回路
2.主令开关的触头烧坏或前级供电系统有缺相故障――用万用表的交流电压档测量每一级的线电压，判断故障位置
故障分析及处理：该故障现象不属于中频电源故障，而是由于负载的阻抗过低引起的，须对负载阻抗重新调整
1.在升压负载的电路中，由于串连补偿电容器的损坏将其拆除，没有更换，或者一味的最求高功率而无节制的增加补偿电容器，使负载的补偿量过补偿，都会造成此故障现象。解决方法是重新调整补偿电容器的补偿量，使设备能在额定功率下运行
2.感应器有匝间短路现象――如果感应器有匝间短路现象，其负载的阻抗也会随之降低，造成此故障现象。匝间短路有两种可能：
•感应器的铜管直接短路
•感应器的固定胶木柱严重炭化，由于炭具有导电特性，故造成感应器匝间由炭化的胶木使其匝间直接连接造成感应器匝间短路
解决方法是排除匝间短路现象
故障分析及处理：该故障现象与“2.7”故障现象的原因相反，是由于负载阻抗高引起的
1.负载补偿电容器的补偿量不足――增加补偿电容器
2.槽路（负载LC振荡回路）连接导线的节点接触电阻过大――由于设备长时间的使用，其槽路铜排的连接处受灰尘的影响，使其接触电阻增大，造成负载的阻抗增高，出现此故障现象
故障分析及处理：这种故障现象有些类似于“七”的故障现象，但有所区别。故障的原因是因为直流电流表的指示不准确，而给人造成一种错觉，误以为电流大。这种故障的原因较为隐蔽，一时很难发现。如果仔细分析，便可发现，功率的指示值与电压、电流的乘积不符，说明仪表的显示值可能有误。电压值可采用万用表的直流电压档去进行校对，电流值我们可通过用钳形电流表测量进线电流，然后乘以0.816的办法来校对。如果不符，则说明电流表指示不准确。直流电流表的值是取自分流器上产生的75mV电压信号，在使用时间较长、使用环境较恶劣的条件下，分流器上的接线与分流器之间存在污垢或氧化现象，接触电阻增大，使分流器上产生的电压增高，大于75mV，致使直流电流表的指示偏大。
处理方法是：处理分流器与其接线间的污垢和氧化层。
故障分析及处理：这类故障有两种可能：
1.中频启动开关坏――中频启动开关在中频停止位置时处于接地状态（接在开关的闭点），如果开关坏，则无法打开接地状态，设备处于保护状态，故启动无反应。处理方法：更换中频启动开关。
2.保护电路故障――如参考“控制电路原理图”中，集成电路IC4在运行过程中发热就会导致这一故障。处理方法：给IC4集成电路散热或加散热器。
3.给定电路中，给定信号中断――在给定电路中，信号给定过程中某处开路，致使无法对整流脉冲进行移相，也会造成此故障现象。处理方法：采用倒推法对给定电路进行检查。
故障分析及处理：这是一种让人比较头疼，维修比较困难的故障现象。可控硅的价格比较昂贵，而烧坏可控硅却让人防不胜防，所以在维修这类故障时要格外小心谨慎。我们在分析故障“五”时，介绍了一种烧坏可控硅的原因。除此之外，还有以下原因：
1.可控硅在反相关断时，承受反向电压的瞬时毛刺电压过高――在中频电源的主电路中，瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸收电路来吸收的。如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。在断电的情况下用万用表测量吸收电阻阻值、吸收电容容量，判断是否阻容吸收回路出现故障。
2.负载对地绝缘降低――负载回路的绝缘降低，引起负载对地间打火，干扰了脉冲的触发时间或在可控硅两端形成高压，烧坏可控硅元件。
3.脉冲触发回路故障――在设备运行时如果突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电源输出端产生高压，烧坏可控硅元件。这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障，可用示波器进行检查，也可能是逆变脉冲引线接触不良，可用手摇晃导线接头，找出故障位置。
4.设备在运行时负载开路――当设备正在大功率运行时，如果突然负载处于开路状态，将在输出端形成高压烧坏可控硅元件。
5.设备在运行时负载短路――当设备在大功率运行时，如果负载突然处于短路状态，将对可控硅有一个很大的短路电流冲击，若过电流保护动作来不及保护，将烧坏可控硅元件。
6.保护系统故障（保护失灵）――可控硅能否安全，主要是靠保护系统来保证的，如果保护系统出现故障，设备稍有一点工作不正常，将危机到可控硅安全。所以，当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。
7.可控硅冷却系统故障――可控硅在工作时发热量很大，需要对其冷却才能保证正常工作，一般可控硅的冷却有两种方式：一种是水冷，另一种是风冷。水冷的应用较为广泛，风冷一般只用于100KW以下的电源设备。通常采用水冷方式的中频设备均设有水压保护电路，单基本上都是总进水的保护，若某一路出现水堵，是无法保护的。
8.电抗器故障――电抗器内部打火会造成逆变侧的电流断续，也会在逆变输入侧产生高压烧坏可控硅。另外，如果在维修中更换了电抗器，而电抗器的电感量、铁芯面积小于要求值，会使电抗器在大电流工作时，因磁饱和失去限流作用烧坏可控硅。